Carte microSD Express Gamer's Edge X 256 Go pour Switch 2, 890 Mo/s Lecture, 750 Mo/s écriture, NVMe, 4K, A1

Marque: Integral
Nom de modèle: INMSDXE
Type de mémoire flash: Micro SDXC
Capacité de stockage de la mémoire: 256 Go
Appareils compatibles: Consoles de jeux
Couleur: BLACK
Caractéristique spéciale: Vitesse de feu
Vitesse de lecture: 890.0
Type de garantie: Limitée
Vitesse d'écriture: 750MB/s

- Performance microSD Express ultra rapide – Propulsée par PCIe Gen 3 et la technologie NVMe, elle offre jusqu’à 890 Mo/s en lecture pour un chargement instantané des jeux et jusqu’à 750 Mo/s en écriture pour une lecture vidéo 4K fluide – 8 fois plus rapide que les cartes microSD UHS-I.
- Temps de chargement et de téléchargement réduits – Des vitesses de transfert ultra rapides signifient moins d’attente et plus de jeu, vous donnant l’avantage de performances dont vous avez besoin.
- Certifiée Classe de performance A1 – Optimisée pour un lancement rapide des applications, la sauvegarde des jeux et le multitâche fluide pendant les sessions de jeu intenses.
- Latence réduite – L’interface PCIe/NVMe réduit la latence, offrant une réactivité système plus rapide, surtout lors de l’accès à de gros fichiers ou à des applications exigeantes.
- Compatibilité descendante avec les appareils microSD – Fonctionne parfaitement avec les anciens appareils à des vitesses UHS-I standard, garantissant une compatibilité polyvalente.
- Conçue pour le jeu de nouvelle génération – Parfaite pour Nintendo Switch 2, Steam Deck et autres consoles portables avancées nécessitant un stockage ultra-rapide.
- Construction durable et fiable – Résistante aux chocs, étanche et aux rayons X pour protéger vos données à chaque aventure.
- Espace de stockage suffisant pour tout votre contenu – Des grandes bibliothèques de jeux et DLC aux vidéos 4K impressionnantes et aux sauvegardes précieuses, emportez tout sur une puissante carte microSD Express.
- Support client basé au Royaume-Uni – Confiance et tranquillité d’esprit grâce à un support local fiable.
- Endurance fiable en lecture/écriture – 10 000 cycles P/E